| 型号： | IPB085N06L G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPB085N06L G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 产品目录绘图 | Mosfets TO-263 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8.2 毫欧 @ 80A.10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 125µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 188W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IPB085N06LGINDKR |